目前試驗了以下兩種方法：

1、增加MOSFET：使用多MOSFET并聯(lián)，并更改驅(qū)動，3843B驅(qū)動不了多MOSFET，但是效果并不好，不僅增加成本，還沒解決問題。而且多個MOSFET并不能同時導(dǎo)通，總會有先有后，所以總是會有一個MOSFET擊穿。

2、增加次級二極管，使用多個并聯(lián)，效果與方案1類似，也不理想。

下面咱們來說說解決方法，通常來說器件的散熱性能與絕緣材料的導(dǎo)熱性能、壓緊力、殼的導(dǎo)熱性能、面積、殼外部的風(fēng)流條件有關(guān)，可以從這幾點上下手改善。
或許也有人想到了同步整流技術(shù)，但即便使用了同步整流技術(shù)，效率也不可能在提高多少，該設(shè)計目前已經(jīng)達到了90%的效率，大多數(shù)達到89%。用同步整流效率不會更高多少了，那樣還是有很大的損耗，散熱還是問題。

或者可以從驅(qū)動波形的角度出發(fā)，如果驅(qū)動能力不夠，可是考慮加推挽驅(qū)動電路。或者可以降低電源的頻率，來減小開關(guān)損耗。另外一點就是變壓器的漏感，如果漏感大，那么失去的功率也就不少，發(fā)熱量也就不會小。電源過熱，容易造成熱擊穿（不可恢復(fù)），100W還不加散熱器，散熱肯定是一大問題。